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PHU101NQ03LT,127

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Artikelnummer
PHU101NQ03LT,127
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 75A SOT533
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PHU101NQ03LT,127.pdf
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Artikelnummer
PHU101NQ03LT,127
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 75A SOT533
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2180pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
166W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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