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SIHG80N60E-GE3

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Artikelnummer
SIHG80N60E-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIHG80N60E-GE3.pdf
Gesamt:$13.67000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$13.67000

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Artikelnummer
SIHG80N60E-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
443nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
520W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Paket / fall
TO-247-3

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