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IPI023NE7N3 G

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Artikelnummer
IPI023NE7N3 G
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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$0.00000

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Artikelnummer
IPI023NE7N3 G
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 37.5V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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