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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

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Artikelnummer
GP1M007A065CG
Hersteller
Global Power Technologies Group, Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GP1M007A065CG.pdf
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(In US-Dollar)		 1Stck
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Artikelnummer
GP1M007A065CG
Hersteller
Global Power Technologies Group, Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1201pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-Pak
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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