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IPAN60R650CEXKSA1

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Artikelnummer
IPAN60R650CEXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPAN60R650CEXKSA1.pdf
Gesamt:$0.69608
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Artikelnummer
IPAN60R650CEXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
FET-Funktion
Super Junction
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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