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DMTH6004LPSQ-13

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Artikelnummer
DMTH6004LPSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMTH6004LPSQ-13.pdf
Gesamt:$0.92945
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(In US-Dollar)
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$0.92945

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Artikelnummer
DMTH6004LPSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
47.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4515pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.6W (Ta), 138W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI5060-8
Paket / fall
8-PowerTDFN

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