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EFC6612R-TF

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Artikelnummer
EFC6612R-TF
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EFC6612R-TF.pdf
Gesamt:$0.36575
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(In US-Dollar)
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$0.36575

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Artikelnummer
EFC6612R-TF
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
2.5W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-SMD, No Lead
Supplier Device Package
6-CSP (1.77x3.54)

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