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RS1JL R3G

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Artikelnummer
RS1JL R3G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RS1JL R3G.pdf
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Artikelnummer
RS1JL R3G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
800mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.3V @ 800mA
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
250ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
DO-219AB
Supplier Device Package
Sub SMA
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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