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HGTD7N60C3S9A

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Artikelnummer
HGTD7N60C3S9A
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 14A 60W TO252AA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HGTD7N60C3S9A.pdf
Gesamt:$0.91073
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Artikelnummer
HGTD7N60C3S9A
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 14A 60W TO252AA
Teilestatus
Not For New Designs
IGBT-Typ
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
56A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 7A
Leistung max
60W
Energie wechseln
165µJ (on), 600µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
23nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
-
Testbedingung
-
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
TO-252AA

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