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RHU003N03FRAT106

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Artikelnummer
RHU003N03FRAT106
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RHU003N03FRAT106.pdf
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Artikelnummer
RHU003N03FRAT106
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
UMT3
Paket / fall
SC-70, SOT-323

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