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SQ3985EV-T1_GE3

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Artikelnummer
SQ3985EV-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQ3985EV-T1_GE3.pdf
Gesamt:$0.27120
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Artikelnummer
SQ3985EV-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 10V
Leistung max
3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP

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