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NTLUS3C18PZTBG

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Artikelnummer
NTLUS3C18PZTBG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.44660
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$0.44660

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Artikelnummer
NTLUS3C18PZTBG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
660mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-UDFN (1.6x1.6)
Paket / fall
6-PowerUFDFN

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