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SQ4946AEY-T1_GE3

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Artikelnummer
SQ4946AEY-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 7A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQ4946AEY-T1_GE3.pdf
Gesamt:$0.71340
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.71340

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Artikelnummer
SQ4946AEY-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 7A
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 25V
Leistung max
4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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