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SI4288DY-T1-GE3

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Artikelnummer
SI4288DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4288DY-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.65600
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.65600

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Artikelnummer
SI4288DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
580pF @ 20V
Leistung max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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