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SI5429DU-T1-GE3

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Artikelnummer
SI5429DU-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI5429DU-T1-GE3.pdf
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Artikelnummer
SI5429DU-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2320pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® ChipFet Dual
Paket / fall
PowerPAK® ChipFET™ Dual

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