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IPA95R750P7XKSA1

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Artikelnummer
IPA95R750P7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 950V 9A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPA95R750P7XKSA1.pdf
Gesamt:$2.43000
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(In US-Dollar)
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$2.43000

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Artikelnummer
IPA95R750P7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 950V 9A TO252
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
950V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
712pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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