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IPB26CN10NGATMA1

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Artikelnummer
IPB26CN10NGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPB26CN10NGATMA1.pdf
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Artikelnummer
IPB26CN10NGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2070pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
71W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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