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IPI045N10N3GXKSA1

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Artikelnummer
IPI045N10N3GXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPI045N10N3GXKSA1.pdf
Gesamt:$3.56000
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(In US-Dollar)
1Stck
$3.56000

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Artikelnummer
IPI045N10N3GXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
8410pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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