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RCD100N19TL

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Artikelnummer
RCD100N19TL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RCD100N19TL.pdf
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Artikelnummer
RCD100N19TL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
190V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
CPT3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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