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IXFN24N100F

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Artikelnummer
IXFN24N100F
Hersteller
IXYS RF/Littelfuse
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFN24N100F.pdf
Gesamt:$37.15000
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(In US-Dollar)
1Stck
$37.15000

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Artikelnummer
IXFN24N100F
Hersteller
IXYS RF/Littelfuse
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6600pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Paket / fall
SOT-227-4, miniBLOC

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