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STL60N10F7

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Artikelnummer
STL60N10F7
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STL60N10F7.pdf
Gesamt:$1.50750
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.50750

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Artikelnummer
STL60N10F7
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
46A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 72W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerFlat™ (5x6)
Paket / fall
8-PowerVDFN

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