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FQP7N80

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Artikelnummer
FQP7N80
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQP7N80.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
FQP7N80
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1850pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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