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TK290P60Y,RQ

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Artikelnummer
TK290P60Y,RQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
TK290P60Y,RQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 450µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
730pF @ 300V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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