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H11G2VM

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Artikelnummer
H11G2VM
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
H11G2VM.pdf
Gesamt:$0.53453
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.53453

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Artikelnummer
H11G2VM
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Teilestatus
Active
Anzahl der Kanäle
1
Spannung - Isolation
4170Vrms
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.)
1000% @ 10mA
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.)
-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
5µs, 100µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)
-
Eingabetyp
DC
Ausgabetyp
Darlington with Base
Spannung - Ausgang (max.)
80V
Strom - Ausgang / Kanal
-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
1.3V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.)
60mA
Vce-Sättigung (max.)
1V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 100°C
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
6-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package
6-DIP

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