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SISS27DN-T1-GE3

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Artikelnummer
SISS27DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SISS27DN-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.36154
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.36154

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Artikelnummer
SISS27DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5250pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paket / fall
8-PowerVDFN

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