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CJ3139KDW-G

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Artikelnummer
CJ3139KDW-G
Hersteller
Comchip Technology
Beschreibung
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CJ3139KDW-G.pdf
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Artikelnummer
CJ3139KDW-G
Hersteller
Comchip Technology
Beschreibung
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 16V
Leistung max
150mW
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SOT-363

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