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APTSM120AM09CD3AG

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Artikelnummer
APTSM120AM09CD3AG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$615.88880
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(In US-Dollar)
1Stck
$615.88880

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Artikelnummer
APTSM120AM09CD3AG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
1224nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 1000V
Leistung max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Module
Supplier Device Package
Module

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