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RF4C050APTR

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Artikelnummer
RF4C050APTR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RF4C050APTR.pdf
Gesamt:$0.19065
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.19065

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Artikelnummer
RF4C050APTR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
HUML2020L8
Paket / fall
8-PowerUDFN

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