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STB21NM60N

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Artikelnummer
STB21NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STB21NM60N.pdf
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Artikelnummer
STB21NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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