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STQ2NK60ZR-AP

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Artikelnummer
STQ2NK60ZR-AP
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STQ2NK60ZR-AP.pdf
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Erfrischungspreis
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Artikelnummer
STQ2NK60ZR-AP
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
400mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-92-3
Paket / fall
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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