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SPI08N80C3

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Artikelnummer
SPI08N80C3
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SPI08N80C3.pdf
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Artikelnummer
SPI08N80C3
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 470µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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