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IXFH12N50F

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Artikelnummer
IXFH12N50F
Hersteller
IXYS RF/Littelfuse
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFH12N50F.pdf
Gesamt:$8.83000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$8.83000

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Artikelnummer
IXFH12N50F
Hersteller
IXYS RF/Littelfuse
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXFH)
Paket / fall
TO-247-3

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