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IRLR3410TRRPBF

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Artikelnummer
IRLR3410TRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLR3410TRRPBF.pdf
Gesamt:$0.42258
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$0.42258

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Artikelnummer
IRLR3410TRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 5V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-Pak
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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