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DMTH10H010LCT

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Artikelnummer
DMTH10H010LCT
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 100V 108A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMTH10H010LCT.pdf
Gesamt:$1.81000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$1.81000

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Artikelnummer
DMTH10H010LCT
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 100V 108A TO220AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
108A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
53.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2592pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 166W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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