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TPC8208(TE12L,Q,M)

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Artikelnummer
TPC8208(TE12L,Q,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TPC8208(TE12L,Q,M).pdf
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Artikelnummer
TPC8208(TE12L,Q,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 2.5A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 10V
Leistung max
450mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-SOP (5.5x6.0)

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