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STW65N65DM2AG

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Artikelnummer
STW65N65DM2AG
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 60A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STW65N65DM2AG.pdf
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$9.63000

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Artikelnummer
STW65N65DM2AG
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 60A
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
446W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Paket / fall
TO-247-3

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