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SIE802DF-T1-GE3

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Artikelnummer
SIE802DF-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIE802DF-T1-GE3.pdf
Gesamt:$1.94579
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$1.94579

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Artikelnummer
SIE802DF-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7000pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
10-PolarPAK® (L)
Paket / fall
10-PolarPAK® (L)

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