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R6030ENZ1C9

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Artikelnummer
R6030ENZ1C9
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
R6030ENZ1C9.pdf
Gesamt:$5.63000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$5.63000

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Artikelnummer
R6030ENZ1C9
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Paket / fall
TO-247-3

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