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APT70GR65B2SCD30

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Artikelnummer
APT70GR65B2SCD30
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.00000

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Artikelnummer
APT70GR65B2SCD30
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Teilestatus
Obsolete
IGBT-Typ
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
134A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
260A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 70A
Leistung max
595W
Energie wechseln
-
Eingabetyp
-
Gate Charge
305nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
19ns/170ns
Testbedingung
433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-247-3
Supplier Device Package
T-MAX™ [B2]

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