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STF11N65K3

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Artikelnummer
STF11N65K3
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STF11N65K3.pdf
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Artikelnummer
STF11N65K3
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FP
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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