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ZXMN10A08GTA

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Artikelnummer
ZXMN10A08GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ZXMN10A08GTA.pdf
Gesamt:$0.32842
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
ZXMN10A08GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223
Paket / fall
TO-261-4, TO-261AA

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