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RCX081N20

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Artikelnummer
RCX081N20
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 8A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RCX081N20.pdf
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Erfrischungspreis
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Artikelnummer
RCX081N20
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 8A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
770 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.23W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FM
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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