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STWA50N65DM2AG

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Artikelnummer
STWA50N65DM2AG
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
POWER TRANSISTORS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$5.11500
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(In US-Dollar)
1Stck
$5.11500

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Artikelnummer
STWA50N65DM2AG
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
POWER TRANSISTORS
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
87 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Paket / fall
TO-247-3

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