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PHN210,118

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Artikelnummer
PHN210,118
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PHN210,118.pdf
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.00000

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Artikelnummer
PHN210,118
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 20V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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