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SI1965DH-T1-GE3

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Artikelnummer
SI1965DH-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI1965DH-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.19855
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.19855

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Artikelnummer
SI1965DH-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 6V
Leistung max
1.25W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-70-6 (SOT-363)

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