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ZXMN6A09DN8TA

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Artikelnummer
ZXMN6A09DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ZXMN6A09DN8TA.pdf
Gesamt:$1.27500
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.27500

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Artikelnummer
ZXMN6A09DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
24.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1407pF @ 40V
Leistung max
1.25W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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