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BSS123-7-F

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Artikelnummer
BSS123-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSS123-7-F.pdf
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Artikelnummer
BSS123-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
170mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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