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NVMS5P02R2G

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Artikelnummer
NVMS5P02R2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.42858
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$0.42858

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Artikelnummer
NVMS5P02R2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.95A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 16V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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