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STI20N65M5

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Artikelnummer
STI20N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STI20N65M5.pdf
Gesamt:$2.47390
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.47390

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Artikelnummer
STI20N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1434pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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