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IXFT12N100F

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Artikelnummer
IXFT12N100F
Hersteller
IXYS RF/Littelfuse
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFT12N100F.pdf
Gesamt:$12.00000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$12.00000

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Artikelnummer
IXFT12N100F
Hersteller
IXYS RF/Littelfuse
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-268 (IXFT)
Paket / fall
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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